氮化硅中氟、氯的測定
電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造,而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴重腐蝕,所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準確測定具有重要意義。
分析柱:SH-G-1+SH-AC-11
流動相:12 mM KOH(EG)
流速:1.0 mL/min
柱溫:35℃
抑制器:SHY-A-6
進樣體積:25 μL
前處理:稱取適量樣品(準確記錄質(zhì)量,精確到 0.0001 g)于樣品舟中,經(jīng)燃燒離子色譜進樣分析。同時做樣品舟空燒對照組分析。
色譜測量數(shù)據(jù)
氮化硅中氟、氯的譜圖
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